トランジスタを備えるram記憶素子

Abstract

本発明は、ドレイン(8)と、ソース(7)と、絶縁ゲート(12)によって覆われたバルク領域とを有するMOSトランジスタの形状を成すメモリセルに関する。バルク領域の厚さは、ゲート面に平行に延びる絶縁層の部分(16)によって分離される2つの異なる領域(13,14)に分けられる。

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